成熟 GaAs（砷化镓）加工工艺，
50Ω共面波导输出，金丝键合。
| 参数 | 频率 | / | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
| 通带频率 | / | / | 10000 | ~ | 40000 | MHz |
| 插入损耗 | / | / | 1.2 | dB | ||
| 带外抑制 | DC-6700 | MHz≥ | 37 | dBc | ||
| 通带驻波 | / | / | 1.5 |
| 接口形式 | 微带焊盘 |
| 阻抗 | 50Ω |
| 功率容量 | 25dBm设计保证 |
| 工作温度 | -55~+125℃设计保证 |
| 存储温度 | -65~+150℃设计保证 |
| 质量等级 | 工业级 |
| ROHS | 满足 |
| 滤波器类别 | MMIC |
| 尺寸代码 | 最小值（mm） | 标称值（mm） | 最大值（mm） |
| L | 0.95 | 1.0 | 1.05 |
| W | 0.95 | 1.0 | 1.05 |
| H1 | 0.55 | ||
| H2 | 0.55 |
1.储存：芯片必须放置于具有静电防护功能的容器中， 并在氮气环境下保存。
2.静电防护：请严格遵守 ESD 防护要求，避免器件静电损伤。
3.常规操作：操作过程中避免工具或手指接触芯片表面。
4.装架操作：芯片安装可采用 AuSn 焊料共晶烧结工艺或导电胶粘接工艺。安装面必须清洁平整。
5.烧结工艺：使用金锡比例80/20的AuSn焊料。温度不超过295度，摩擦时间不要超过3秒。
6.粘接工艺：导电胶的电胶量尽量少，将芯片放置于安装位置后在其四周可见导电胶即可。
7.键合操作：球型或锲型键合均采用 0.025mm 金丝， 按照通用工艺进行。
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