高精度FBAR 加工工艺，
小尺寸，高性能，但静电敏感。
| 参数 | 频率 | / | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
| 通带频率 | / | / | 2483 | MHz | ||
| 中心损耗 | / | / | 1.8 | 2.5 | dB | |
| -1.0dB 带宽 | / | / | 12 | 20 | MHz | |
| 带内波动 | / | / | 0.8 | 1.0 | dB | |
| 带外抑制 | 2.433 | GHz≥ | 35 | 40 | dB | |
| 带外抑制 | 2.533 | GHz≥ | 35 | 40 | dB | |
| 通带驻波 | / | / | 1.8 | 2.0 |
| 接口形式 | 微带焊盘 |
| 阻抗 | 50Ω |
| 时延波动 | ≤15ns |
| 工作温度 | -55~+85℃设计保证 |
| 存储温度 | -55~+125℃设计保证 |
| 质量等级 | 工业级 |
| ROHS | 满足 |
| 滤波器类别 | FBAR |
1、芯片需放置在氮气柜中密封保存，开封后请在3天内使用，芯片需在净化环境中装配使用，芯片端口可互换；
2、芯片需使用精密尖头镊子夹取芯片两侧，避免触碰芯片表面，芯片底面推荐采用低应力胶粘接（优选ME8456-DA），胶量适当，避免过多污染正面图形；
3、芯片粘接完后，可使用等离子清洗机清洗，避免超声清洗、液体清洗；
4、芯片性能受封装形式、压丝规格、长度、位置影响，请参照装配示意图并咨询供货商，推荐使用直径25um金丝压焊。
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