高精度硅基 MEMS 加工工艺，
50Ω共面波导输出，金丝键合。
| 参数 | 频率 | / | 最小 | 典型 | 最大 | 单位 |
| 通带频率 | / | / | 16000 | ~ | 17300 | MHz |
| 中心损耗 | / | / | 3.5 | dB | ||
| 带内波动 | / | / | 1.0 | dB | ||
| 带外抑制 | 14.85&18.7 | GHz≥ | 30 | dB | ||
| 带外抑制 | 14.6&18.95 | GHz≥ | 40 | dB | ||
| 带外抑制 | DC-14.3 | GHz≥ | 50 | dB | ||
| 带外抑制 | 18.95-30.5 | GHz≥ | 50 | dB | ||
| 通带驻波 | / | / | 1.7 |
| 接口形式 | 微带焊盘 |
| 阻抗 | 50Ω |
| 功率容量 | 35dBm设计保证 |
| 时延波动 | ≤0.6ns |
| 相位一致性 | ≤±5° |
| 工作温度 | -55~+85℃设计保证 |
| 存储温度 | -55~+125℃设计保证 |
| 质量等级 | 工业级 |
| ROHS | 满足 |
| 滤波器类别 | MEMS |
1、芯片建议安装在金属腔体中，芯片两侧距离侧壁 0.1mm，芯片上表面距离上金属屏蔽盖板间隙≥3mm；
2、芯片推荐采用低温焊料焊接或低应力导电胶粘接；
3、芯片应安装在可伐等与硅热膨胀系数(2.9ppm/℃) 相当的载体上，载体厚度≥0.2mm；
4、微带线与芯片键合时，建议使用 50μm×10μm 的金带或 2 根 25μm 的金丝，要求金丝（金带）尽可能短；
5、硅基 MEMS 微带带通滤波器通带频率在 10GHz 以上时，建议微带线键合处采用 T 型结构进行匹配。
| 尺寸代码 | 最小值（mm） | 标称值（mm） | 最大值（mm） |
| L | 2.9 | 3.0 | 3.1 |
| W | 2.1 | 2.2 | 2.3 |
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