高精度MEMS工艺制备
高性能，低温漂，小体积
陶瓷基板，50Ω共面波导
金丝键合，适用于多芯片集成模块
| 项目 | 参数 | 单位 |
| 中心频率 | 17.15 | GHz |
| 工作带宽 | 16.3-18.0 | GHz |
| 中心损耗 | 2.2 | dB |
| 带内波动 | 1.0 | dB |
| 驻波比 | 1.6:1 | |
| 群时延波动 | 0.5 | ns |
| 带外抑制 | 40@DC-15.1GHz | dBc |
| 带外抑制 | 35@19.2-32.0GHz | dBc |
| 承受功率 | <4W CW |
| 工作温度 | -55~+85℃ |
| 储存温度 | -55~+125℃ |
| 外形尺寸 | A:4.6，B:2.0，C:0.8，D:0.4，E:0.2，F:0.14，G:0.4 |
1：芯片建议分腔使用,单侧距侧壁0.1mm,表面距上盖2.2mm,端口可互换;
2：芯片推荐使用低应力导电胶(如 ME8456)粘接,采用不少于2根25-50um金丝键合线连接，连接线尽量短，键合高度尽量低;
3：芯片应安装在可伐(推荐) 或铜等与陶瓷热膨胀系数(6.7ppm /C)相近的材料，载体厚度≥0.2mm,，不能直接烧焊在铝或铜 盒子上;
4：微带线与芯片键合连接时，建议微带键合处采用T型结构进行匹配;
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